氧化銫鎢，即為銫鎢青銅（CsxWO3），屬于鎢青銅型中的一種，是一種非化學計量比窄禁帶寬度的半導體材料。其因有獨特晶體結構的原因，而具有較高的可見光透過率和近紅外線阻隔率等性質，在隔熱玻璃材料中具有十分誘人的應用前景。但是，不同晶型的銫鎢青銅的理化性能存在較大差異。
相關研究表明：
（1）采用Na2WO4•2H2O和CsCl為原料，在乙醇溶液中利用沉淀法制得的CsxWO3粉體，其晶型結構不明顯，并且同時存在多種未知晶相衍射峰，而粉體的漫反射吸收圖譜表明其在近紅外區(qū)的吸收很弱，同氧化鎢粉體的光吸收圖譜相似，近紅外吸收性能不明顯。利用水熱的方法采用相同的原料，所合成的粉體的結構和性能沒有明顯的改善，在11OOnm處吸亮度最大為0.8。
（2）采用Na2WO4•2H2O和Cs2CO3為原料，在檸檬酸溶液中，利用水熱法制備的CsxWO3，其粉體晶體衍射峰變得較為明顯，雜峰消失，而粉體的漫反射吸收光譜表明具有強烈的近紅外吸收性能，其薄膜表現(xiàn)出良好的近紅外遮蔽趨勢；并且經(jīng)過紫外光照射后，表現(xiàn)出良好的光致變色性能，近紅外遮蔽性能進一步增強，特別是檸檬酸濃度較高的前驅液中制備的CsxWO3，紫外光照射促使其薄膜近紅外遮蔽性能進一步提高的效果更為明顯，總的來說，其具有良好的隔熱性能。
此外，研究還發(fā)現(xiàn)CsxWO3粉體的結構和近紅外吸收性能都會隨著反應時間的延長和前驅液中檸檬酸濃度的提高而改善，制備的晶體結構都為六方鎢青銅結構。其中在檸檬酸濃度為1.10mol/L的前驅液中，反應溫度為190℃，反應時間為3d時合成的CsxWO3粉體，其平均最小粒徑為185nm，為細絲針狀形貌，比表面積為41.17m2/g，粉體近紅外吸收最為強烈。在11OOnm時，吸亮度為1.96，其薄膜的透射光譜表明近紅外遮蔽趨勢最為明顯，在可見光區(qū)最高透過率與近紅外11OOnm處的最低透過率相差為13～18%；經(jīng)過紫外光照射后，可提高到26%；粉體經(jīng)過氮氣中500℃熱處理2h，然后涂制成薄膜，其薄膜可見光區(qū)最高透過率與近紅外1100nm處的最低透過率之差可提高到33%，表現(xiàn)出良好的近紅外遮蔽性能，其隔熱溫差最大可達到21℃。
